SK海力士(SKHY)股价下跌5%，尽管宣布380亿美元半导体扩张计划

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核心要点

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需求超越产能

先进内存技术与HBM发展

SK海力士批准了一项总额381.5亿美元的资本投资计划，用于在韩国两地扩建半导体制造设施。

这家芯片制造商将在龙仁（专注于DRAM）和清州（专注于NAND）建设新的生产基地，预计分别于2028年和2029年投入运营。

SK海力士（SKHY）股价在披露投资计划后下跌约5%。

当前全球DRAM供应仅能满足市场需求的75%至80%。

华尔街分析师对SKHY维持“强力买入”评级，平均目标价为245.50美元。

SK海力士（SKHY）股价上周五下跌近5%，此前这家内存芯片制造商披露了一项高达381.5亿美元的投资战略，旨在扩大其在韩国的制造布局。

自7月10日在纳斯达克上市以来，该股已从约168美元跌至143美元。

SK海力士公司（SKHY）董事会批准了总计54.3万亿韩元的资本投入。这笔资金包括用于首尔南部龙仁新建DRAM制造基地的35.2万亿韩元，以及用于韩国中部清州NAND生产设施的19.1万亿韩元。

该公司表示，这一战略举措与其6月公布的中长期路线图相契合。

SK海力士（$SKHY）计划到2031年在韩国投资约383亿美元建设新晶圆厂：

约249亿美元用于龙仁二期项目

约135亿美元用于清州M17项目

这家半导体制造商援引Omdia的市场情报称，预计到本十年末，DRAM和NAND的年需求量将增长19%。

一位发言人表示：“这项投资旨在确保我们不会在市场增长时错失良机。”

龙仁Y2工厂将是龙仁半导体基地规划的四座晶圆厂中的第二座。该工厂计划于2027年7月破土动工，首个洁净室预计于2029年6月启用。与此同时，清州M17扩建项目将于2月启动，目标是在2028年底前完成洁净室建设。

根据其长期发展蓝图，SK海力士透露，计划在这两个生产基地累计投入700万亿韩元。

需求超越产能

行业数据显示，目前DRAM生产商仅能满足全球需求的75%至80%。这种严重的供需失衡是该公司扩张计划的主要推动力。

SK海力士的制造产能已完全被预订至2027年，该公司已与客户签订了长期协议。

尽管如此，市场参与者对当前利润率能否长期维持表示担忧。

先进内存技术与HBM发展

这家半导体巨头同时也在推进其下一代产品线。该公司计划在2026年下半年向顶级AI芯片制造商提供HBM4样品，并将于2027年开始量产HBM4和HBM4E。

SK海力士是英伟达的重要合作伙伴，也是全球高带宽内存领域的三巨头之一，与三星电子和美光科技展开竞争。

随着对HBM和尖端内存解决方案的需求持续攀升，这项产能扩张战略旨在巩固公司的竞争地位。

在TipRanks上，SKHY获得了9位分析师给出的“强力买入”共识评级。共识目标价为245.50美元，较当前水平有71%的上涨空间。该股的最高目标价为320美元。