SK海力士豪掷380亿美元建新厂，满足AI内存需求

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SK海力士再投380亿美元，押注AI内存未来

韩国内存巨头SK海力士再次对人工智能下注。上周五，该公司批准了54万亿韩元（约合380亿美元）的新制造投资，授权建设两座新芯片工厂，以扩大用于AI系统的内存芯片产量。此举反映出该公司坚信，AI基础设施的需求将在未来数年保持强劲，而内存——而非处理器——仍是行业最大的瓶颈。

这一消息发布之际，SK海力士刚刚公布了创纪录的季度业绩，凸显了高带宽内存在当前AI热潮中的重要性。由于对HBM技术的需求持续增长，该公司第二季度营收达79.3万亿韩元，净利润达60.5万亿韩元。为保持其在AI内存领域的领先地位，SK海力士已开始大规模交付HBM4芯片。

这项投资对AI芯片制造商和云服务企业至关重要，因为先进的加速器设备需要将多个HBM堆栈通过先进封装技术（如台积电的CoWoS）集成在芯片旁边。如果HBM内存供应不足，仅增加GPU芯片产量是无济于事的。

据市场研究机构预测，受AI对DRAM和NAND需求的推动，到2026年内存将占全球半导体市场营收的50%以上。另一家机构指出，尽管行业在多个方面有所进展，但由于先进封装产能有限，DRAM和HBM的供应至少到2027年仍将保持紧张。

SK海力士向英伟达及其他AI加速器制造商供应HBM，因此其制造计划成为衡量AI基础设施扩张速度的关键指标。此次投资紧随此前关于英伟达CEO黄仁勋宣布与SK集团开展5000亿美元合作的报道之后，进一步凸显了内存生产的重要性。

54万亿韩元投向何处

SK海力士宣布，其中35.2万亿韩元将用于建设位于龙仁的Y2 DRAM工厂，同时19.1万亿韩元将用于建设位于清州园区的M17 NAND闪存工厂。预计这两项投资总额约为380亿美元。

这些项目是SK海力士更宏大发展计划的重要组成部分。该公司已承诺向龙仁半导体集群投资600万亿韩元，另向清州扩建项目投资100万亿韩元，而邻近的Y1工厂已在建设中。

SK海力士正采取措施巩固其在AI内存领域的地位。根据市场追踪数据，2026年第一季度，SK海力士占据了全球HBM营收的58%，三星和镁光各占21%。

HBM如今已成为AI行业中稀缺的材料之一。与普通DRAM不同，它采用堆叠技术、硅通孔技术和复杂封装工艺，制造难度极高。

据预测，受AI对NAND和DRAM需求的推动，2026年半导体行业将增长94.1%。供应短缺已开始影响产品开发计划。例如，英伟达目前正在考虑为其下一代Rubin Ultra加速器采用8-Hi HBM和HBM4方案，而非此前计划的12-Hi HBM4e，原因是担心2027年DRAM供应减少可能影响HBM模块的生产。

这一动态意味着，内存供应商正日益掌控着AI硬件进入市场的速度。内存产能提升会推动加速器出货量增长，而内存短缺则迫使制造商根据可用内存量调整产品设计。

工厂将生产什么，何时投产

分析师预计，由于新工厂需要数年才能投入运营，供应紧张状况将持续。据SK海力士介绍，Y2工厂将生产HBM产品以及下一代DRAM产品。建设将于2027年7月启动，洁净室预计于2029年6月完工。M17工厂将于2027年2月破土动工，洁净室于2028年12月准备就绪。

SK海力士表示，这项投资是为一项需要时间推进的转型奠定基础，而非仅仅应对短期的AI热潮。该公司指出，根据预测，到2030年全球DRAM和NAND需求将实现19%的复合年增长率，这证实了SK海力士的信念：大规模内存制造对于在人工智能时代赢得竞争优势至关重要。